Los errores de un solo evento inducidos por iones pesados en FPGAs avanzadas de 65 nm endurecidas contra la radiación
Autores: Cai, Chang; Fan, Xue; Liu, Jie; Li, Dongqing; Liu, Tianqi; Ke, Lingyun; Zhao, Peixiong; He, Ze
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Los errores de un solo evento inducidos por iones pesados en FPGAs avanzadas de 65 nm endurecidas contra la radiación
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Técnicas de endurecimiento a la radiación
CRAMs
EBRAMs
Flip-flops
Prueba de irradiación con iones pesados
Redundancia modular triple
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 44
Citaciones: Sin citaciones
Se diseñó y fabricó un Field Programmable Gate Array (FPGA) de memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) de 65 nm, que empleó técnicas de endurecimiento contra radiación en las RAM de configuración (CRAMs), las RAM integradas (EBRAMs) y los flip-flops.
Descripción
Se diseñó y fabricó un Field Programmable Gate Array (FPGA) de memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) de 65 nm, que empleó técnicas de endurecimiento contra radiación en las RAM de configuración (CRAMs), las RAM integradas (EBRAMs) y los flip-flops.