Crecimiento uniforme en la epitaxia de área selectiva de heteroestructuras AlGaN/GaN para la aplicación en dispositivos semiconductores
Autores: Stpniak, Micha; Woko, Mateusz; Pramowska-Czajka, Joanna; Stafiniak, Andrzej; Przybylski, Dariusz; Paszkiewicz, Regina
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Crecimiento uniforme en la epitaxia de área selectiva de heteroestructuras AlGaN/GaN para la aplicación en dispositivos semiconductores
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivos semiconductores
Estructuras 3D
Deposición selectiva
Heteroestructuras AlGaN/GaN
Transistores de alta movilidad electrónica
Perfilometría óptica
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
El diseño de dispositivos semiconductores modernos a menudo requiere la fabricación de estructuras tridimensionales (3D) para integrar componentes microelectrónicos con sistemas fotónicos, micromecánicos o sensores dentro de un sustrato semiconductor.
Descripción
El diseño de dispositivos semiconductores modernos a menudo requiere la fabricación de estructuras tridimensionales (3D) para integrar componentes microelectrónicos con sistemas fotónicos, micromecánicos o sensores dentro de un sustrato semiconductor.