Los transistores de óxido semiconductor amorfo con una alta densidad de corriente de salida son muy deseables para la electrónica de gran área. En este estudio, se proponen transistores de a-IGZO envueltos para mejorar la densidad de corriente de salida en relación con los transistores de puerta de fuente de a-IGZO (SGTs). Se analizan las prestaciones del dispositivo utilizando simulaciones de diseño asistido por computadora (TCAD). Los resultados de las simulaciones TCAD revelan que, con una estructura de dispositivo optimizada, la densidad de corriente del transistor a-IGZO envuelto puede alcanzar 7.34 A/m, lo que representa una mejora aproximada de dos veces en comparación con la del SGT de a-IGZO. Además, el transistor a-IGZO envuelto optimizado exhibe un comportamiento claro de saturación plana y pinch-off. Los transistores a-IGZO envueltos propuestos muestran un potencial significativo para aplicaciones en electrónica de gran área.