La deposición de películas de SiN:H a través de la deposición química en fase vapor asistida por plasma se ha utilizado ampliamente en dispositivos semiconductores. Sin embargo, la relación entre los enlaces químicos y las propiedades físicas y químicas rara vez se ha estudiado para películas depositadas utilizando herramientas en términos de la producción volumétrica real. En este estudio, investigamos los efectos de las condiciones de deposición en la unión química relacionada con el H, propiedades físicas y químicas, rendimiento y calidad de las películas de SiN:H utilizadas como capas de pasivación en el nodo tecnológico de 28 nm. La potencia de radiofrecuencia (RF), el espaciado de la placa del electrodo, la temperatura, la presión de la cámara y la relación de flujo de gas SiH:NH fueron seleccionados como parámetros de deposición. Los resultados muestran una clara relación entre los enlaces químicos relacionados con el H y las propiedades de las películas examinadas. La diferencia en el índice de refracción (RI) y el campo de ruptura (E) de las películas de SiN:H se atribuye principalmente al cambio en la proporción. A medida que la proporción aumentaba, el RI y E mostraban un crecimiento lineal y tendencias descendentes exponenciales, respectivamente. Además, en comparación con la proporción, el total y los contenidos tuvieron un mayor impacto en las tasas de ataque húmedo de las películas de SiN:H, pero el estrés no dependía completamente del total y los contenidos. Es importante destacar que un espaciado excesivo de la placa del electrodo puede provocar un aumento significativo no deseado en la falta de uniformidad y la rugosidad superficial de las películas de SiN:H. Este estudio proporciona orientación de procesamiento a nivel industrial para el desarrollo de la tecnología avanzada de deposición de películas de nitruro de silicio.