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Modulación performance enhancement de directly modulated injection-locked semiconductor lasers usando un equivalent electrical circuit

Autores: Bae, Ho-Jun; Cho, Jun-Hyung; Sung, Hyuk-Kee

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2021

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Acceso abierto

Artículo científico
2021

Modulación performance enhancement de directly modulated injection-locked semiconductor lasers usando un equivalent electrical circuit


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Propuesto
Circuito equivalente
Modulación directa
Bloqueo por inyección óptica
Láseres de semiconductor
Respuesta en frecuencia

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 36

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Proponemos un modelo de circuito eléctrico equivalente para evaluar el rendimiento de modulación directa de los láseres de semiconductor con bloqueo de inyección óptica (OIL). Modelamos el circuito equivalente del láser OIL basado en representaciones alternas de envoltura compleja, lo simulamos utilizando el Programa de Simulación con Énfasis en Circuitos Integrados (SPICE) y analizamos la respuesta en frecuencia del láser OIL. Aunque la respuesta en frecuencia del láser OIL es mejor que la de un láser de funcionamiento libre, su rendimiento de modulación a 3 dB se ve degradado por la oscilación de relajación que ocurre durante la modulación directa del láser de semiconductor. Para superar esta limitación y mantener el rendimiento de modulación máximo dentro de todo el rango de bloqueo, también diseñamos un filtro eléctrico para procesar previamente la señal de modulación eléctrica y compensar la salida de modulación no plana del láser OIL. El coeficiente de amortiguamiento del láser OIL modulado directamente aumentó en 0.101 (280%) y su tiempo de establecimiento disminuyó en >0.037 (44%) cuando se agregó el circuito de compensación eléctrica, mostrando un ancho de banda de modulación a 3 dB plano de 28.79 GHz.

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