Los perovskitas de haluro de plomo poseen características ópticas sobresalientes que pueden ser empleadas en la fabricación de fototransistores. Sin embargo, debido a la baja modulación de corriente a temperatura ambiente, sensibilidad al entorno ambiental, falta de técnicas de patrón y baja movilidad de portadores en forma policristalina, la investigación en fototransistores de perovskitas se ha limitado a sustratos rígidos como silicio y vidrio para mejorar la calidad de la película. Aquí, informamos sobre la modulación de corriente a temperatura ambiente en un transistor flexible de perovskita de yoduro de plomo de metilamonio (MAPbI) fabricado mediante un proceso de fabricación extremadamente barato y sencillo. El fototransistor propuesto tiene una configuración de compuerta superior con una estructura lateral de drenaje-canal-fuente. El dispositivo funcionó en las regiones lineal y de saturación tanto en la oscuridad como bajo luz blanca en diferentes rangos de corriente según las condiciones de iluminación. El transistor mostró características de transporte de tipo p y la movilidad de efecto de campo del dispositivo se calculó en ~1.7 cm V s. Se espera que este estudio contribuya al desarrollo de fototransistores flexibles de MAPbI.