La fabricación de dispositivos semiconductores de carburo de silicio puede requerir un tratamiento a alta temperatura en reactores de grafito cerrados. Esto dificulta el control de la temperatura de los sustratos de SiC procesados, ya que su temperatura no se puede medir directamente. Dado que la supervisión de la temperatura de la muestra de SiC es críticamente importante para el flujo adecuado del proceso, se ha desarrollado un método indirecto que involucra el uso del enfoque CAD. Un modelo numérico de un reactor de horno fue creado sobre la base del paquete comercial ANSYS, lo que permite la simulación de campos térmicos bajo condiciones de disipación de calor dadas en el área modelada y en presencia de medios gaseosos y líquidos que participan en el intercambio de calor y transporte. Los resultados de la simulación obtenidos siguen siendo muy consistentes con las mediciones de temperatura de referencia de áreas seleccionadas del reactor. El modelo actúa como una herramienta precisa para la verificación de la distribución de temperatura durante el recocido a alta temperatura y la difusión de dopantes para el carburo de silicio.