Como portador central de almacenamiento de información, un dispositivo de memoria semiconductora es un producto básico con un gran volumen que es ampliamente utilizado en la industria de circuitos integrados. Con el rápido desarrollo de los procesos de fabricación y materiales semiconductores, la estructura interna de la memoria ha pasado gradualmente de una estructura de empaquetado planar en 2D a una estructura de empaquetado en 3D para satisfacer las demandas de la industria de dispositivos de alta frecuencia, alta velocidad y gran capacidad con bajo consumo de energía. Sin embargo, la tecnología avanzada de empaquetado en 3D puede plantear algunos riesgos de confiabilidad, lo que hace que los dispositivos sean propensos a fallas, especialmente cuando se utilizan en condiciones ambientales adversas, que incluyen cambios de temperatura, altas temperaturas y niveles de humedad, y estrés mecánico. En este documento, los autores presentan las características estructurales típicas de la memoria empaquetada en 3D; analizan las razones de las fallas del dispositivo causadas por el estrés; resumen los métodos de investigación actuales que utilizan teorías de temperatura, mecánicas e higrotérmicas, y modelos de falla; y presentan los desafíos futuros y las direcciones con respecto a la investigación de confiabilidad de la memoria empaquetada en 3D.