Emi susceptibilidad del pin de salida en amplificadores CMOS
Autores: Richelli, Anna; Colalongo, Luigi; Kovacs-Vajna, Zsolt
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Emi susceptibilidad del pin de salida en amplificadores CMOS
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Susceptibilidad
Amplificadores operacionales
Interferencias electromagnéticas
Impedancia de salida
Simulaciones
Tecnología CMOS
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 25
Citaciones: Sin citaciones
Las mediciones en dispositivos comerciales muestran una considerable susceptibilidad de los amplificadores operacionales a las interferencias electromagnéticas acopladas a su pin de salida. Este documento investiga algunas arquitecturas básicas, desde amplificadores de una sola etapa hasta un amplificador operacional completo. El resultado es una correlación entre las diferentes configuraciones de amplificador, la impedancia de salida y la susceptibilidad a las interferencias. Las simulaciones se realizan utilizando la tecnología estándar CMOS UMC de 180 nm y ejecutando el netlist de los esquemáticos extraídos del diseño.
Descripción
Las mediciones en dispositivos comerciales muestran una considerable susceptibilidad de los amplificadores operacionales a las interferencias electromagnéticas acopladas a su pin de salida. Este documento investiga algunas arquitecturas básicas, desde amplificadores de una sola etapa hasta un amplificador operacional completo. El resultado es una correlación entre las diferentes configuraciones de amplificador, la impedancia de salida y la susceptibilidad a las interferencias. Las simulaciones se realizan utilizando la tecnología estándar CMOS UMC de 180 nm y ejecutando el netlist de los esquemáticos extraídos del diseño.