Este artículo demuestra la posibilidad de crear dispositivos de memoria basados en mayenita policristalina. Durante el estudio, se llevó a cabo la caracterización estructural (XRD, TEM) de muestras cerámicas de mayenita, así como un estudio de las características espectrales (rango de THz) y electrofísicas. Los materiales obtenidos por calcinación a altas temperaturas (1360-1450 grados Celsius) en una atmósfera inerte de argón difieren en el grado de sustitución de aniones de oxígeno O por electrones, como lo indican los datos sobre los parámetros de la celda unitaria y los coeficientes de constante dieléctrica en el rango de 0.2-1.3 THz, así como diferencias en las propiedades conductoras de las muestras estudiadas en más de cinco órdenes de magnitud, desde el estado del dieléctrico para C12A7:O hasta el material conductor (tipo metal) en el estado del electrórido C12A7:e. Las mediciones de las características corriente-voltaje de la cerámica C12A7:e mostraron la presencia de estados memristivos detectados previamente por otros autores solo en el caso de monocristales. El estudio de la estabilidad del cambio entre estados en términos de resistencia mostró que los valores de corriente para estados con alta y baja resistencia permanecen constantes hasta 180 ciclos de cambio, lo que es dos veces mayor que los datos literarios conocidos sobre la estabilidad de prototipos similares de dispositivos. Se muestra que tales muestras pueden operar en modo de conmutación con resistencia no lineal en el rango de voltajes aplicados de -1.3 a +1.3 V.