El impacto de los defectos estructurales en la adsorción de yodo en UiO-66
Autores: Maddock, John; Kang, Xinchen; Liu, Lifei; Han, Buxing; Yang, Sihai; Schröder, Martin
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
El impacto de los defectos estructurales en la adsorción de yodo en UiO-66
Categoría
Ciencias Naturales y Subdisciplinas
Subcategoría
Química
Palabras clave
Materiales
Captura
Almacenamiento
MOFs
Yodo
Radiactivo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 13
Citaciones: Sin citaciones
El yodo radiactivo I, producido como un subproducto de la fisión nuclear, representa un riesgo para la salud pública si se libera en el medio ambiente, por lo que es vital desarrollar materiales que puedan capturar el vapor de I. Los materiales diseñados para la captura y almacenamiento de I deben tener una alta capacidad de absorción y ser estables para el almacenamiento a largo plazo debido a la larga vida media del I. UiO-66 es un marco organometálico (MOF) altamente estable y fácilmente ajustable en el que se pueden introducir sitios de defecto. Aquí, se sintetizó una forma defectuosa de UiO-66 (UiO-66-FA) y se confirmó la presencia de grupos de clúster faltantes utilizando microscopía de fluorescencia confocal y mediciones de adsorción de gas. La absorción de vapor de I en UiO-66-FA se midió utilizando análisis termogravimétrico acoplado a espectrometría de masas (TGA-MS) y se determinó en 2.25 g g, casi el doble que (1.17 g g) el UiO-66 prístino. Este estudio inspirará el diseño de nuevos almacenes eficientes de I basados en MOFs que incorporen defectos estructurales.
Descripción
El yodo radiactivo I, producido como un subproducto de la fisión nuclear, representa un riesgo para la salud pública si se libera en el medio ambiente, por lo que es vital desarrollar materiales que puedan capturar el vapor de I. Los materiales diseñados para la captura y almacenamiento de I deben tener una alta capacidad de absorción y ser estables para el almacenamiento a largo plazo debido a la larga vida media del I. UiO-66 es un marco organometálico (MOF) altamente estable y fácilmente ajustable en el que se pueden introducir sitios de defecto. Aquí, se sintetizó una forma defectuosa de UiO-66 (UiO-66-FA) y se confirmó la presencia de grupos de clúster faltantes utilizando microscopía de fluorescencia confocal y mediciones de adsorción de gas. La absorción de vapor de I en UiO-66-FA se midió utilizando análisis termogravimétrico acoplado a espectrometría de masas (TGA-MS) y se determinó en 2.25 g g, casi el doble que (1.17 g g) el UiO-66 prístino. Este estudio inspirará el diseño de nuevos almacenes eficientes de I basados en MOFs que incorporen defectos estructurales.