El estudio del efecto de evento único en AlGaN/GaN HEMT basado en una estructura de cátodo común
Autores: Liang, Yanan; Chen, Rui; Han, Jianwei; Wang, Xuan; Chen, Qian; Yang, Han
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
El estudio del efecto de evento único en AlGaN/GaN HEMT basado en una estructura de cátodo común
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Espacio
Aeronáutica
Nitruro de galio
HEMT
Cátodo común
SEB
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 39
Citaciones: Sin citaciones
Un candidato atractivo para aplicaciones espaciales y aeronáuticas es el dispositivo de tecnología de propulsión eléctrica de alta potencia y miniaturización, el transistor de movilidad electrónica de electrones de alta densidad de galio y nitruro (GaN HEMT), que es representativo de dispositivos electrónicos de potencia de brecha amplia.
Descripción
Un candidato atractivo para aplicaciones espaciales y aeronáuticas es el dispositivo de tecnología de propulsión eléctrica de alta potencia y miniaturización, el transistor de movilidad electrónica de electrones de alta densidad de galio y nitruro (GaN HEMT), que es representativo de dispositivos electrónicos de potencia de brecha amplia.