Se investiga la posibilidad de utilizar transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor de doble difusión vertical de potencia p-canal (VDMOSFETs) comerciales como sensores de rayos X en este estudio de caso. En este aspecto, se examina la dependencia de la sensibilidad tanto en el voltaje de compuerta como en la energía media para tres haces de rayos X. Se aplican ocho voltajes de compuerta de 0 a 21 V, y la dependencia de la sensibilidad en el voltaje de compuerta se ajusta bien utilizando la ecuación propuesta. En cuanto a la energía de los rayos X, la sensibilidad aumenta primero y luego disminuye como consecuencia del comportamiento de los coeficientes de absorción de energía de masa y es la mayor para el haz RQR8. Dado que los coeficientes de absorción de energía de masa de SiO no se encuentran en la literatura, se utilizan los coeficientes de absorción de energía de masa del silicio. También se considera el comportamiento de los transistores irradiados durante el recocido a temperatura ambiente sin polarización de compuerta.