Los efectos de la alteración de un solo evento (SEU) generada por la radiación en transistores de efecto de campo de nanocable (NW-FETs) y de nanoplaca (NS)-FETs fueron analizados según el ángulo de incidencia y la ubicación de la radiación, utilizando herramientas de diseño asistido por computadora en tecnología tridimensional. El mayor SEU ocurrió cuando la partícula incidió a 90 grados, mientras que el menor ocurrió a 15 grados. El SEU se vio significativamente afectado cuando la partícula incidió en el drenaje, en comparación con cuando incidió en la fuente. Los NS-FETs fueron robustos al SEU, a diferencia de los NW-FETs. Este fenómeno puede atribuirse a la diferencia en el área expuesta a la radiación, incluso si los anchos de canal de estos dispositivos fueran idénticos.