Los materiales bidimensionales (2D) con espesores intrínsecos a nivel atómico son candidatos fuertes para el desarrollo de transistores de efecto de campo (FETs) profundamente escalados y nuevas arquitecturas de dispositivos. En particular, los dicalcogenuros de metales de transición (TMDCs), de los cuales el disulfuro de molibdeno (MoS) es el más ampliamente estudiado, son especialmente atractivos debido a su brecha de banda no nula, flexibilidad mecánica y transparencia óptica. En esta contribución, presentamos un modelo eficiente de onda completa de MoS-FETs que se basa en (1) definir las relaciones constitutivas del canal activo de MoS, y (2) simular la geometría 3D. Lo primero se logra utilizando simulaciones atomísticas de la estructura cristalina del material, lo segundo se obtiene utilizando el solucionador COMSOL Multiphysics. Mostramos ejemplos de simulaciones de FET y comparamos, cuando sea posible, los resultados teóricos con los experimentales de la literatura. La comparación destaca un acuerdo muy bueno.