Tres Flip-Flops D (DFFs) de Celda de Almacenamiento Entrelazada Dual (DICE) endurecidos para diseño de disposición fueron diseñados y fabricados basados en una tecnología planar avanzada de 28 nm. Las irradiaciones sistemáticas de iones pesados verticales e inclinadas demostraron que la estructura DICE contribuye a la tolerancia a la radiación. Sin embargo, es difícil lograr inmunidad a una Perturbación Única de Evento (SEU), incluso cuando se utiliza un aislamiento de pozo de ~3-um. La mitigación de SEU de los DFFs endurecidos se vio afectada por los patrones de datos y las señales de reloj debido al desequilibrio en el número de nodos alterados. Cuando la señal de reloj era igual a 0, no se observó ningún error en la irradiación de Ta, lo que indica que los DFFs DICE son tolerantes a SEU en la irradiación vertical gracias a su razonable aislamiento de volúmenes sensibles. Las divergencias de las secciones transversales de SEU se ampliaron mediante nuestro cambio conjunto especialmente diseñado de incidencias de inclinación tanto para la irradiación a lo largo de la celda como a través de la celda de iones pesados. Las evaluaciones de SEU tanto para las irradiaciones verticales como de inclinación ayudan a eliminar la sobreestimación de la tolerancia a SEU y garantizan la seguridad en órbita de las naves espaciales en entornos de radiación adversos.