Influencia de los efectos parásitos en las características de resistencia diferencial negativa de la transferencia resonante
Autores: Yang, Chih Chin
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Influencia de los efectos parásitos en las características de resistencia diferencial negativa de la transferencia resonante
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Túnel resonante
Circuito electrónico
Relaciones de densidad de corriente pico-valle
Resistencia diferencial negativa
Valores de RDPCV
Investigaciones experimentales
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 38
Citaciones: Sin citaciones
Se ha propuesto en esta investigación un circuito electrónico de túnel resonante (RTEC) con altas y múltiples relaciones de densidad de corriente pico-valle (PVCDRs) exhibidas en la curva de resistencia diferencial negativa (NDR). Los valores de PVCDR en la investigación de simulación y en la investigación experimental del RTEC de doble PVCDR alcanzaron respectivamente hasta 1.79 y 22 en promedio, los cuales fueron obtenidos utilizando la estructura diseñada de RTECs de PVCDR único. Además, los valores de densidad de corriente pico (PCD) de la última NDR en la estructura de doble PVCDR RTEC en la simulación y experimento fueron respectivamente de 1.85 A y 42 uA. También se obtuvieron características de triple NDR con los valores de PCD alcanzando hasta 2.9 A y 46 uA, respectivamente, en investigaciones de simulación y experimentales. Los valores de PVCDR de la característica de triple NDR fueron respectivamente de 1.5 y 4.6 en la simulación y experimento.
Descripción
Se ha propuesto en esta investigación un circuito electrónico de túnel resonante (RTEC) con altas y múltiples relaciones de densidad de corriente pico-valle (PVCDRs) exhibidas en la curva de resistencia diferencial negativa (NDR). Los valores de PVCDR en la investigación de simulación y en la investigación experimental del RTEC de doble PVCDR alcanzaron respectivamente hasta 1.79 y 22 en promedio, los cuales fueron obtenidos utilizando la estructura diseñada de RTECs de PVCDR único. Además, los valores de densidad de corriente pico (PCD) de la última NDR en la estructura de doble PVCDR RTEC en la simulación y experimento fueron respectivamente de 1.85 A y 42 uA. También se obtuvieron características de triple NDR con los valores de PCD alcanzando hasta 2.9 A y 46 uA, respectivamente, en investigaciones de simulación y experimentales. Los valores de PVCDR de la característica de triple NDR fueron respectivamente de 1.5 y 4.6 en la simulación y experimento.