Se presenta un chip de red neuronal de picos mixtos de señal (SNN), y se estudió su efecto de radiación-Dosis Total de Ionización (TID). El chip se fabricó en un proceso de integración de silicio sobre aislante (SOI) de 180 nm con un área de 3.75 mm; las dosis totales se establecieron en 300 krad (Si), 500 krad (Si) y 1 Mrad (Si). Los resultados experimentales de radiación TID mostraron que la frecuencia promedio de picos y la amplitud de picos de la señal de salida del circuito SNN disminuyeron después de la irradiación debido a la corriente de fuga causada por la carga atrapada en el óxido enterrado. Se identificaron nodos sensibles a través del análisis de la ruta crítica del circuito, y se propuso orientación hacia un circuito de neuronas resistente a la radiación. El circuito propuesto mantiene una buena robustez con variación de la frecuencia de disparo.