Este trabajo se centra en la extracción de un circuito equivalente de pequeña señal preciso para transistores de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor (MOSFETs). Se desarrolló un enfoque de modelado analítico y se validó con éxito a través de la comparación entre los parámetros de dispersión medidos y simulados. La extracción de los elementos del circuito equivalente permitió la estimación de la frecuencia de corte de ganancia de corriente unitaria intrínseca, que es una figura de mérito crucial para evaluar el rendimiento en alta frecuencia. Los datos experimentales muestran que la frecuencia de corte de los dispositivos probados exhibe un comportamiento de escala casi ideal con la disminución de la longitud de la compuerta.