Este documento presenta los efectos de la radiación óptica en el comportamiento de dos transistores de movilidad electrónica alta (HEMT) de nitruro de galio/aluminio y nitruro de galio (AlGaN/GaN) con compuertas escaladas. Los dispositivos probados, con un ancho de compuerta de 100 y 200 um y una longitud de compuerta de 0.25 um, fueron expuestos a un haz láser con una longitud de onda de 404 nm (rayo azul) para investigar los principales efectos ópticos en las características de corriente continua. Debido al desplazamiento del umbral y la generación de carga, se observó un marcado aumento de la corriente de compuerta y drenaje. Se identificó la ocurrencia del efecto kink en ausencia de exposición a la luz, y se proporciona una hipótesis sobre su origen. Los resultados obtenidos concuerdan con el análisis previamente realizado en dispositivos basados en arseniuro de galio (GaAs).