En este trabajo, se presenta un modelo generalizado foto-termoelástico con conductividad térmica variable para estimar las variaciones de temperatura, la densidad de portadores, el estrés y el desplazamiento en un material semiconductor. Los efectos de la conductividad térmica variable bajo el proceso de transporte foto-térmico son investigados utilizando el modelo acoplado de termoelástico y onda de plasma. La superficie del medio está cargada con una temperatura uniforme de paso unitario. Fácilmente, se obtienen las soluciones analíticas en el dominio de Laplace. Mediante el uso de transformadas de Laplace con el esquema de valores propios, los campos estudiados se obtienen de forma analítica y se presentan gráficamente.