En este trabajo, se investiga un fenómeno anómalo de degradación de óxido grueso en transistores VDMOS de superunión de clase 650 V de tipo n. Se observó una disminución inesperada del voltaje umbral (V) con estrés de inestabilidad de temperatura de polarización positiva alta, y la corriente de saturación (I) aumenta con el tiempo de estrés. Se han logrado comportamientos repetibles y reproducibles en múltiples dispositivos bajo prueba. Según los resultados de simulación y experimentales, se encontró que los electrones de alta energía (causados por el alto voltaje de compuerta positivo) en la región de tipo n en la parte inferior de la capa de óxido de compuerta (parte superior del pilar N) son inyectados en el óxido de compuerta. Los electrones de alta energía generan pares electrón-hueco durante el transporte al ánodo, dejando huecos en la capa de óxido de compuerta, y por lo tanto disminuyendo V e aumentando I. Finalmente, también se realiza una medición C-V que confirma aún más el análisis anterior.