Investigamos el efecto del entorno de recocido en dispositivos de memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM) basados en ZrO. Los dispositivos fabricados exhibieron propiedades de memoria de conmutación bipolar convencionales. En particular, las películas de ZrO recocidas al vacío mostraron mayor cristalinidad y tamaño de grano, una película más densa y una cantidad relativamente pequeña de vacantes de oxígeno en comparación con las películas recocidas en aire y N. Esto llevó a una disminución en la corriente de fuga y un aumento en la relación de resistencia del estado de alta resistencia (HRS)/estado de baja resistencia (LRS) y mejoró con éxito las propiedades de memoria no volátil, como la resistencia y las características de retención. Se encontró que los valores de HRS y LRS duraron 10 s sin ninguna degradación significativa.