Efecto de los esfuerzos en estado de apagado de alta temperatura en la degradación de AlGaN/GaN HEMTs
Autores: Lin, Jinfu; Liu, Hongxia; Wang, Shulong; Liu, Chang; Li, Mengyu; Wu, Lei
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Efecto de los esfuerzos en estado de apagado de alta temperatura en la degradación de AlGaN/GaN HEMTs
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transistores de alta movilidad de electrones
Altas frecuencias
Voltajes
Temperaturas
AlGaN/GaN
HEMTs
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de alta movilidad electrónica basados en GaN ofrecen una alta densidad de portadores combinada con alta movilidad electrónica y a menudo requieren operación a altas frecuencias, voltajes y temperaturas.
Descripción
Los transistores de alta movilidad electrónica basados en GaN ofrecen una alta densidad de portadores combinada con alta movilidad electrónica y a menudo requieren operación a altas frecuencias, voltajes y temperaturas.