A diferencia de la propiedad estática (apagada) no volátil de un memristor, el efecto de borrado de historial de un memristor es una característica dinámica, lo que significa que bajo la excitación de señales de conmutación o diferentes, el memristor puede olvidar su valor inicial y alcanzar un estado estable único. El estado estable está determinado únicamente por la señal de excitación y no tiene nada que ver con su estado inicial. El efecto de borrado de historial es un efecto deseado en aplicaciones de memristores como la memoria. Puede simplificar la complejidad del circuito de escritura y mejorar la velocidad de almacenamiento. Si la respuesta del memristor depende del estado inicial, se requiere una operación de reinicio de estado antes de cada operación de escritura. Por lo tanto, es de gran importancia teórica y práctica juzgar si el memristor tiene un efecto de borrado de historial. Basándose en el estudio del efecto de borrado de historial de memristores reales, este artículo se centra en el efecto de borrado de historial de un memristor de TiO de Hewlett-Packard (HP) y el memristor de Canal Autodirigido (SDC) de la Compañía Knowm. Se presentan las respuestas de CC y CA del memristor de TiO de HP, y se señala que no hay efecto de borrado de historial de CA. Sin embargo, considerando el efecto de memcapacitancia parasitaria, se descubre que sí tiene el efecto. Basándose en el modelo teórico del memristor SDC, se estudian sus propiedades de borrado de historial con y sin considerar efectos parasitarios. Cabe destacar que este método de estudio puede ser útil para otros materiales como AlO y MoS.