Los transistores de película delgada de SnO dopados con Mg procesados por sol-gel se fabricaron con éxito. Se investigó el efecto de la concentración de Mg en las propiedades estructurales, químicas y ópticas de las películas delgadas y los dispositivos TFT correspondientes. Los resultados indicaron que una concentración óptima de Mg produjo una mayor estabilidad de sesgo negativo y un aumento en la banda óptica, lo que resultó en dispositivos transparentes. Además, el rendimiento óptimo del dispositivo se obtuvo con un 0.5% en peso de Mg. El TFT de SnO dopado con 0.5% en peso de Mg fabricado se caracterizó por una movilidad de efecto de campo, una pendiente de subumbral y una relación I/I de 4.23 cm/Vs, 1.37 V/década y ~1 x 10, respectivamente. El Mg añadido suprimió la formación de vacancias de oxígeno, mejorando así la estabilidad del sesgo. Este trabajo puede allanar el camino para el desarrollo de dispositivos de película delgada basados en SnO dopado con metales alcalinotérreos.