En este artículo, esta investigación demuestra la influencia de la introducción in situ de H en el gas de trabajo en las propiedades físicas de películas delgadas de InO recocidas y el rendimiento de dispositivos asociados. Un aumento gradual en la proporción de H conduce a una mejor calidad de película, como se indica mediante análisis de elipsometría espectroscópica, espectroscopía fotoelectrónica de rayos X y microscopía de fuerza atómica que muestran una reducción en estados de defectos como estados de cola de banda en la película, y una morfología de superficie más suave con una rugosidad media cuadrada de aproximadamente 0.446 nm. Además, este efecto de dopaje de hidrógeno resulta en un cambio distinto en el voltaje umbral del dispositivo hacia la dirección positiva, y una mejora en la movilidad de efecto de campo y en la pendiente de subumbral. En consecuencia, se desarrolla un TFT de InO:H de alto rendimiento, que exhibe una movilidad de efecto de campo de 47.8 cm/Vs, un voltaje umbral de -4.1 V y una pendiente de subumbral de 0.25 V/dec. Estos hallazgos resaltan el potencial del dopaje de H in situ como un enfoque prometedor para regular los TFTs basados en InO.