En un sistema de computación neuromórfica basado en hardware, el uso de dispositivos de memoria no volátil emergentes como sinapsis artificiales, que tienen una característica de memoria inelástica, ha atraído considerable interés. En contraste, las neuronas artificiales elásticas han recibido mucha menos atención. Un sistema material ideal que es adecuado para imitar neuronas biológicas es aquel con una propiedad de cambio resistivo volátil (o monoestable). El óxido de vanadio (VO) es un material bien conocido que exhibe una propiedad de transición abrupta y volátil de aislante a metálico. En este trabajo, demostramos experimentalmente que los dispositivos de VO de dos terminales impulsados por pulsos se comportan de manera integrada y disparadora filtrante (LIF), y se relajan elásticamente a su valor inicial después de disparar, imitando así el comportamiento de las neuronas biológicas. El dispositivo de VO con una longitud de canal de 20 um puede ser disparado por un solo pulso de larga duración (>83 us) o múltiples pulsos de corta duración. Además, modelamos los dispositivos de VO como redes resistivas basadas en su estructura de dominio granular, con resistividades correspondientes a los estados aislante o metálico. Los resultados de la simulación confirman que la transición resistiva volátil bajo la conducción de pulsos de voltaje es causada por la formación de un filamento metálico en un proceso tipo avalancha, mientras que este filamento metálico volátil volverá a relajarse al estado aislante al final de los pulsos de conducción. La simulación ofrece una vista microscópica del proceso dinámico y abrupto de formación de filamentos para explicar el comportamiento LIF observado experimentalmente. Estos resultados sugieren que la transición VO aislante-metálica podría ser explotada para neuronas artificiales.