La frecuencia de ruido de voltaje 1/f de baja frecuencia se ha utilizado para investigar la dinámica de carga estocástica en dispositivos de memoria resistiva no volátil basados en AlO que exhiben tanto efectos de conmutación resistiva (RS) como magneto-resistiva (MR). Se observa una densidad espectral de potencia de ruido 1/f en una amplia gama de sesgos de voltaje aplicados. Al analizar los datos experimentales dentro del marco de la relación empírica de Hooge, encontramos que el parámetro alfa de Hooge y el exponente exhiben una variación distinta durante la transición de resistencia desde el estado de baja resistencia (LRS) al estado de alta resistencia (HRS), proporcionando evidencia sólida de que el proceso de captura/des-captura de electrones, junto con la migración de vacantes de oxígeno impulsada por el campo eléctrico en la barrera de AlO, juega un papel esencial en la dinámica de transporte de carga de los dispositivos de memoria RS basados en AlO.