En este documento, proponemos una estructura de dispositivo optimizada para abordar problemas en dispositivos de memoria flash NAND 3D, que enfrentan dificultades al utilizar el método de borrado de agujeros debido a las desfavorables características de agujeros del óxido de zinc, galio e indio (IGZO). La estructura propuesta mitigó el problema de la operación de borrado causado por la baja movilidad de agujeros de IGZO al introducir un relleno dentro del canal de IGZO. Facilitó la inyección de agujeros en el canal de IGZO a través del relleno, mientras que el material de relleno de polisilicio dopado de tipo P existente fue reemplazado por un semiconductor de óxido de tipo P. A diferencia del polisilicio (brecha de banda: 1,1 eV), este semiconductor de óxido de tipo P tiene una brecha de banda similar a la del canal de IGZO (2,5 a 3,0 eV). En consecuencia, se confirmó a través de la simulación de dispositivo que no había barrera debido a la diferencia en las brechas de banda, lo que permitió el suministro continuo de agujeros al canal de IGZO. Basándonos en estos resultados, realizamos una simulación para determinar los parámetros óptimos para que el semiconductor de óxido de tipo P se utilice como relleno, demostrando una operación de borrado mejorada cuando la densidad de portadores de tipo P era de 10 cm o más y la brecha de banda era de 3,0 eV o más.