Dispositivo metal-aislante-metal de baja corriente de fuga basado en un aislante de óxido de berilio creado por un método de recubrimiento por giro de dos pasos como un nuevo tipo de síntesis Pechini modificada
Autores: Jeon, Young Pyo; Hong, Dongpyo; Lee, Sang-hwa; Lee, Eun Jung; Cho, Tae Woong; Kim, Do Yeon; Kim, Chae Yeon; Park, JuSang; Kim, Young Jun; Yoo, Young Joon; Park, Sang Yoon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Dispositivo metal-aislante-metal de baja corriente de fuga basado en un aislante de óxido de berilio creado por un método de recubrimiento por giro de dos pasos como un nuevo tipo de síntesis Pechini modificada
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
óxido de berilio
Películas delgadas
Energía de la banda prohibida
Conductividad térmica
Espectroscopía fotoelectrónica de rayos X
Corriente de fuga
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
El óxido de berilio (BeO) se considera un material alternativo atractivo para su uso en futuras industrias en áreas como semiconductores, naves espaciales, aeronaves y tecnologías de cohetes debido a su alta energía de brecha de banda, punto de fusión útil, buena conductividad térmica y constantes dieléctricas.
Descripción
El óxido de berilio (BeO) se considera un material alternativo atractivo para su uso en futuras industrias en áreas como semiconductores, naves espaciales, aeronaves y tecnologías de cohetes debido a su alta energía de brecha de banda, punto de fusión útil, buena conductividad térmica y constantes dieléctricas.