Un dispositivo novedoso de HEMT AlGaN/GaN con anillo-puerta y optimización de la estructura de electrodos
Autores: Zhu, Yanxu; Song, Xiaomeng; Li, Jianwei; Li, Jinheng; Fei, Baoliang; Li, Peiyang; Li, Fajun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un dispositivo novedoso de HEMT AlGaN/GaN con anillo-puerta y optimización de la estructura de electrodos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Espaciado puerta-drenaje
Estructura de anillo-gate
Corriente de drenaje
Voltaje umbral
Estructura de electrodo
Parámetros de tamaño del dispositivo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
En este papel, se propone y se fabrica con éxito un dispositivo HEMT AlGaN/GaN con una estructura de anillo en la compuerta.
Descripción
En este papel, se propone y se fabrica con éxito un dispositivo HEMT AlGaN/GaN con una estructura de anillo en la compuerta.