Dispositivo AlGaN/GaN MIS-HFET sin receso en modo E con proceso de pasivación de AlN PEALD cristalino
Autores: Jang, Won-Ho; Yim, Jun-Hyeok; Kim, Hyungtak; Cha, Ho-Young
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Dispositivo AlGaN/GaN MIS-HFET sin receso en modo E con proceso de pasivación de AlN PEALD cristalino
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Depósito de capa atómica mejorado por plasma
Capa de pasivación de AlN
Modo de mejora
AlGaN/GaN
Transistor de efecto de campo de heterounión metal-aislante-semiconductor
Película de AlN PEALD
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 30
Citaciones: Sin citaciones
Utilizamos un proceso de deposición de capa de pasivación de AlN sobre la superficie de AlGaN/GaN mediante deposición de capa atómica asistida por plasma (PEALD) para mejorar los efectos de polarización, lo que permitió la fabricación de un transistor de efecto de campo de unión heterojunción metal-aislante-semiconductor (MIS-HFET) de AlGaN/GaN de modo de mejora (E-mode) sin necesidad de un proceso de retroceso de compuerta.
Descripción
Utilizamos un proceso de deposición de capa de pasivación de AlN sobre la superficie de AlGaN/GaN mediante deposición de capa atómica asistida por plasma (PEALD) para mejorar los efectos de polarización, lo que permitió la fabricación de un transistor de efecto de campo de unión heterojunción metal-aislante-semiconductor (MIS-HFET) de AlGaN/GaN de modo de mejora (E-mode) sin necesidad de un proceso de retroceso de compuerta.