Diseño y validación de un LNA de banda Ka de GaN-On-Si de 100 nm basado en modelos personalizados de ruido y señal pequeña
Autores: Pace, Lorenzo; Colangeli, Sergio; Ciccognani, Walter; Longhi, Patrick Ettore; Limiti, Ernesto; Leblanc, Remy; Feudale, Marziale; Vitobello, Fabio
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Diseño y validación de un LNA de banda Ka de GaN-On-Si de 100 nm basado en modelos personalizados de ruido y señal pequeña
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
Silicio
MMIC
Amplificador de bajo ruido
Banda Ka
HEMT
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 22
Citaciones: Sin citaciones
En este documento se muestra un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) MMIC GaN-on-Si que trabaja en la banda Ka. La tecnología elegida para el diseño es un HEMT de longitud de compuerta de 100 nm proporcionado por la fundición OMMIC. Tanto los modelos de señal pequeña como de ruido se extrajeron previamente mediante una extensa campaña de medición, y luego se emplearon en el diseño del LNA presentado. El amplificador presenta una figura de ruido promedio de 2.4 dB, un valor de ganancia promedio de 30 dB y una coincidencia de entrada/salida superior a 10 dB en toda la banda de diseño de 34-37.5 GHz, mientras que las mediciones no lineales atestiguan un punto de compresión de salida mínimo de 1 dB de 23 dBm en la banda objetivo específica de 35-36.5 GHz. Esto muestra la idoneidad de la tecnología elegida para aplicaciones de bajo ruido.
Descripción
En este documento se muestra un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) MMIC GaN-on-Si que trabaja en la banda Ka. La tecnología elegida para el diseño es un HEMT de longitud de compuerta de 100 nm proporcionado por la fundición OMMIC. Tanto los modelos de señal pequeña como de ruido se extrajeron previamente mediante una extensa campaña de medición, y luego se emplearon en el diseño del LNA presentado. El amplificador presenta una figura de ruido promedio de 2.4 dB, un valor de ganancia promedio de 30 dB y una coincidencia de entrada/salida superior a 10 dB en toda la banda de diseño de 34-37.5 GHz, mientras que las mediciones no lineales atestiguan un punto de compresión de salida mínimo de 1 dB de 23 dBm en la banda objetivo específica de 35-36.5 GHz. Esto muestra la idoneidad de la tecnología elegida para aplicaciones de bajo ruido.