Para sistemas orientados al rendimiento como aplicaciones espaciales, es importante maximizar la ganancia de los amplificadores de radiofrecuencia (RFAs) con una cierta tolerancia contra la radiación, los efectos de temperatura y un factor de forma reducido. En este trabajo, presentamos un RFA compacto de alta ganancia en la banda K utilizando una topología de doblador en una plataforma tecnológica de transistores bipolares de heterounión de silicio-germanio (SiGe HBTs). Los vias a través del silicio (TSVs), típicamente utilizados para propósitos de empaquetado de chips de tamaño reducido, han sido utilizados de manera efectiva como un elemento de coincidencia ajustable para la impedancia de entrada, reduciendo el área total del chip. El RFA propuesto, fabricado en una modesta tecnología SiGe de 0.35 um, logra una ganancia de 14.1 dB en una frecuencia central de 20 GHz, y una figura de ruido (NF) de 11.2 dB en la misma frecuencia, con un consumo de energía de 3.3 mW. La metodología de diseño propuesta puede ser utilizada para lograr alta ganancia, evitando un enfoque de diseño de amplificador de múltiples etapas complejo.