Diseño ultra high-density SOT-MRAM para aplicación de caché en chip de último nivel
Autores: Seo, Yeongkyo; Kwon, Kon-Woo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Diseño ultra high-density SOT-MRAM para aplicación de caché en chip de último nivel
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Ultra alta densidad SOT-MRAM diseño dimensiones memoria
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 24
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta la memoria de acceso aleatorio magnética de torque de esfuerzo de giro de ultra alta densidad (SOT-MRAM) para la aplicación de caché de datos de último nivel. Aunque SOT-MRAM tiene muchos atributos atractivos de baja energía de escritura, no volatilidad y alta confiabilidad, plantea desafíos para la implementación de memoria de ultra alta densidad.
Descripción
Este documento presenta la memoria de acceso aleatorio magnética de torque de esfuerzo de giro de ultra alta densidad (SOT-MRAM) para la aplicación de caché de datos de último nivel. Aunque SOT-MRAM tiene muchos atributos atractivos de baja energía de escritura, no volatilidad y alta confiabilidad, plantea desafíos para la implementación de memoria de ultra alta densidad.