Diseño de la sección de radiofrecuencia de un klystron de interacción extendida de tipo escalera de múltiples haces en banda Ka
Autores: Maity, Santigopal; Kumar, Madutha Santosh; Koley, Chaitali; Pal, Debashish; Bandyopadhyay, Ayan Kumar
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Diseño de la sección de radiofrecuencia de un klystron de interacción extendida de tipo escalera de múltiples haces en banda Ka
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Frecuencias de banda Ka
Amplificadores de alta potencia
Klystron de interacción extendida de múltiples haces
Sección de radiofrecuencia
Potencia de salida
Frecuencia central de 28.5 GHz
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Las frecuencias de banda Ka están volviéndose cada vez más populares debido a su potencial de aplicación en comunicaciones inalámbricas de alta velocidad relevantes para aplicaciones 5G, establecimiento de enlaces satelitales, etc. Los amplificadores de alta potencia en esta banda de frecuencia, que ofrecen varios decenas de vatios de potencia de RF de salida, son uno de los principales componentes habilitadores de estos sistemas de comunicación. Este artículo informa sobre los estudios de diseño y análisis de la sección de radiofrecuencia (RF) de un klistrón de interacción extendida de múltiples haces (MB-EIK). La sección de RF propuesta con una estructura EIK tipo escalera ofrece varias características cruciales, como una operación de bajo voltaje, ancho de banda operativo moderado y alta potencia de salida. A partir del diseño de las cavidades intermedias, se presentan las secciones de entrada y salida y la sección de RF general. La sección de RF propuesta admite la operación a una frecuencia central de 28.5 GHz con aproximadamente un ancho de banda de 500 MHz a -3 dB empleando cuatro haces de electrones con un campo de aceleración de CC de 4 kV.
Descripción
Las frecuencias de banda Ka están volviéndose cada vez más populares debido a su potencial de aplicación en comunicaciones inalámbricas de alta velocidad relevantes para aplicaciones 5G, establecimiento de enlaces satelitales, etc. Los amplificadores de alta potencia en esta banda de frecuencia, que ofrecen varios decenas de vatios de potencia de RF de salida, son uno de los principales componentes habilitadores de estos sistemas de comunicación. Este artículo informa sobre los estudios de diseño y análisis de la sección de radiofrecuencia (RF) de un klistrón de interacción extendida de múltiples haces (MB-EIK). La sección de RF propuesta con una estructura EIK tipo escalera ofrece varias características cruciales, como una operación de bajo voltaje, ancho de banda operativo moderado y alta potencia de salida. A partir del diseño de las cavidades intermedias, se presentan las secciones de entrada y salida y la sección de RF general. La sección de RF propuesta admite la operación a una frecuencia central de 28.5 GHz con aproximadamente un ancho de banda de 500 MHz a -3 dB empleando cuatro haces de electrones con un campo de aceleración de CC de 4 kV.