Diseño robusto de confiabilidad ESD de LDMOS N de potencia de 300 V con superuniones de cilindro elíptico en el lado del drenaje
Autores: Chen, Shen-Li; Wu, Pei-Lin; Chen, Yu-Jen
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Diseño robusto de confiabilidad ESD de LDMOS N de potencia de 300 V con superuniones de cilindro elíptico en el lado del drenaje
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Débil
Inmunidad ESD
UHV
MOSFETs
Estructura SJ
HBM
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 24
Citaciones: Sin citaciones
El problema de la inmunidad débil a la descarga electrostática (ESD) ha sido profundamente perseguido en los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de ultra alto voltaje (UHV) y necesita ser resuelto con urgencia.
Descripción
El problema de la inmunidad débil a la descarga electrostática (ESD) ha sido profundamente perseguido en los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de ultra alto voltaje (UHV) y necesita ser resuelto con urgencia.