Diseño resistente al ataque de potencia de fuga: celda SRAM de 9T de lectura PMOS
Autores: Yang, Muyu; Balasubramanian, Prakash; Chen, Kangqi; Oruklu, Erdal
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Diseño resistente al ataque de potencia de fuga: celda SRAM de 9T de lectura PMOS
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Ataques de canal lateral
Análisis de potencia de fuga
Celdas SRAM
Ataques LPA
Nodo de 7 nm
Diseño de celda de 9T de lectura PMOS
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 28
Citaciones: Sin citaciones
Los ataques de canal lateral no invasivos (SCAs) basados en el análisis de potencia de fuga (LPA) han recibido más atención recientemente, ya que la corriente de fuga se ha vuelto gradualmente más dominante con las tecnologías más escaladas.
Descripción
Los ataques de canal lateral no invasivos (SCAs) basados en el análisis de potencia de fuga (LPA) han recibido más atención recientemente, ya que la corriente de fuga se ha vuelto gradualmente más dominante con las tecnologías más escaladas.