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Diseño resistente al ataque de potencia de fuga: celda SRAM de 9T de lectura PMOS

Autores: Yang, Muyu; Balasubramanian, Prakash; Chen, Kangqi; Oruklu, Erdal

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

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Acceso abierto

Artículo científico
2024

Diseño resistente al ataque de potencia de fuga: celda SRAM de 9T de lectura PMOS


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Ataques de canal lateral
Análisis de potencia de fuga
Celdas SRAM
Ataques LPA
Nodo de 7 nm
Diseño de celda de 9T de lectura PMOS

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 28

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Los ataques de canal lateral no invasivos (SCAs) basados en el análisis de potencia de fuga (LPA) han recibido más atención recientemente, ya que la corriente de fuga se ha vuelto gradualmente más dominante con las tecnologías más escaladas.

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