Este documento describe un análisis de técnicas de rechazo de suministro de energía y mejora de ruido para un amplificador de potencia de seguimiento de envolvente. Aunque la técnica de seguimiento de envolvente mejora la eficiencia, su relación de rechazo de suministro de energía es mucho menor que la de un seguimiento de potencia promedio o un amplificador de potencia de suministro fijo. En sistemas FDD con la técnica de seguimiento de envolvente, la baja relación de rechazo de suministro de energía genera mucho ruido de salida en la banda RX y degrada la sensibilidad del receptor. Un SM está diseñado utilizando un proceso CMOS de 130 nm, y el área de matriz del chip es de 2 x 2 mm con un paquete de chip a nivel de oblea de 25 pines. El SM diseñado logró eficiencias máximas del 78-83% para señales LTE con un PAPR de 5.8 dB y varios anchos de banda de canal. Para el modulador de suministro de bajo ruido de salida, se emplean técnicas de reducción de ruido utilizando sintonización de frecuencia resonante y un filtro de muesca, y los resultados medidos muestran una reducción máxima de ruido de 1.8/5/5.3/3.8/3 dB en las bandas LTE B17/B5/B2/B3/B7, respectivamente.