Actualmente, el rendimiento de alta velocidad de los chips moduladores electro-ópticos de niobato de litio de película delgada está evolucionando rápidamente. Sin embargo, debido a las limitaciones técnicas inherentes impuestas por el diseño de empaquetado y la arquitectura de materiales, la banda de ancho electro-óptica intrínseca de los chips moduladores electro-ópticos de niobato de litio de película delgada a menudo excede la banda de ancho de sus interfaces de empaquetado, lo que puede limitar la realización del rendimiento de modulación. El enlace de bump surge como una tecnología de interconexión EO de alta banda ancha, superando al enlace de alambre para una comunicación óptica más rápida. En este documento, presentamos un chip modulador de niobato de litio de película delgada de alta velocidad adaptado para enlace cóncavo-convexo, junto con un análisis y diseño del empaquetado de enlace de flip-chip del chip. Al aprovechar las características eléctricas superiores del enlace cóncavo-convexo, mitigamos efectivamente las pérdidas de radiofrecuencia del chip modulador y el empaquetado. Se obtiene un voltaje de onda media simulado (V) de 3.5 V y una banda de ancho de modulación E-O superior a 150 GHz para un modulador de 0.5 cm de longitud después del empaquetado de enlace de flip-chip.