Este documento presenta un amplificador de potencia X de 40 W en la banda X con alta eficiencia basado en un proceso de GaN HEMT (Transistor de Movilidad Electrónica Alta) de 0.25 m en SiC. Se presenta un modelo equivalente RC (Resistencia Capacitancia) para proporcionar impedancias de salida de gran señal precisas de los GaN HEMTs con dimensiones arbitrarias. Al introducir la topología del filtro de paso de banda, se logran redes de adaptación de impedancia de banda ancha basadas en el modelo RC, y se realiza el MMIC (Circuito Integrado Monolítico de Microondas) del amplificador de potencia con un ancho de banda mejorado. Los resultados de las mediciones muestran que este amplificador de potencia, con una tensión de operación de 28 V, logró una potencia de salida de más de 40 W, una eficiencia de potencia añadida del 44.7% y una ganancia de potencia de 22 dB de 8 GHz a 12 GHz. El tamaño total del chip es de 3.20 mm x 3.45 mm.