Guía de diseño de MMIC de amplificador de alta potencia GaN de onda milimétrica considerando un efecto de vía de origen
Autores: Kim, Jihoon; Han, Seoungyoon; Kim, Bo-Bae; Lee, Mun-Kyo; Lee, Bok-Hyung
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Guía de diseño de MMIC de amplificador de alta potencia GaN de onda milimétrica considerando un efecto de vía de origen
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Ondas milimétricas
Nitruro de galio
Amplificador de alta potencia
Circuito integrado monolítico de microondas
Emparejamiento de potencia
Simulación electromagnética
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 47
Citaciones: Sin citaciones
Se implementó un amplificador de potencia (HPA) de nitruro de galio (GaN) de onda milimétrica (mmWave) en un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC), considerando un efecto de vía de origen.
Descripción
Se implementó un amplificador de potencia (HPA) de nitruro de galio (GaN) de onda milimétrica (mmWave) en un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC), considerando un efecto de vía de origen.