A pesar de la continua reducción de dispositivos de óxido metálico complementario (CMOS), también se han propuesto varios escenarios tecnológicos hacia la reducción de la memoria semiconductora. En este documento, se ha propuesto una memoria de alta densidad (HDM) basada en la transferencia de banda a banda (BTBT) para aplicaciones de memoria de baja potencia, alta densidad y alta velocidad. La estructura geométrica y las propiedades eléctricas se han demostrado utilizando herramientas TCAD. Se han diseñado y realizado operaciones de memoria típicas, incluyendo lectura, programación y borrado. Velocidad de operación alta, menor consumo de energía, así como buenas características de confiabilidad se han logrado mediante simulación, lo que indica que la HDM puede tener valor de aplicación potencial como un dispositivo de memoria semiconductora novedoso.