Este trabajo presenta una nueva metodología de diseño para circuitos integrados de radiofrecuencia (RF) basada en un análisis unificado de los parámetros de dispersión del circuito y la relación de los transistores involucrados. Dado que los parámetros de dispersión de los circuitos están parametrizados por medio de las características físicas de los transistores, los diseñadores pueden optimizar el tamaño y el sesgo de los transistores para cumplir con las especificaciones del circuito dadas en términos de parámetros S. Un diseño completo de un amplificador de bajo ruido en cascada (LNA) en tecnología MOS de 65 nm se toma como estudio de caso para validar el enfoque. Además, esta metodología permite identificar el mejor equilibrio entre la figura de ruido mínima y la ganancia máxima para el LNA de una manera muy simple.