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Diseño, fabricación y caracterización de un sensor PTAT utilizando tecnología CMOS

Autores: Szermer, Micha; Jankowski, Mariusz; Janicki, Marcin

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

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Acceso abierto

Artículo científico
2024

Diseño, fabricación y caracterización de un sensor PTAT utilizando tecnología CMOS


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Sensor de temperatura integrado
Tecnología CMOS
Sensor proporcional a la temperatura absoluta
Transistores MOS
Linealmente proporcional
Circuitos vecinos

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 34

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este documento presenta el diseño de un sensor de temperatura integrado. El sensor fue fabricado utilizando la tecnología CMOS de 3 um. La señal de salida del sensor proporcional a la temperatura absoluta fue producida por dos transistores MOS con circuitos de polarización y almacenamiento en búfer. La tensión de salida del sensor era linealmente proporcional a la temperatura absoluta en un amplio rango de valores de temperatura. Los resultados de las mediciones coinciden muy bien con los resultados del análisis de esquina del proceso. Ciertas no linealidades que ocurren en valores de alta temperatura se investigan en este documento con más detalle. Además, se estudia la influencia de los circuitos vecinos presentes en el circuito integrado fabricado en la respuesta de temperatura del sensor.

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