Diseño de módulo de potencia conmutada de medio puente basado en MOSFETs de SiC conectados en paralelo para convertidor resonante LLC con estructura simétrica y baja inductancia parásita
Autores: Park, Hae-Chan; Min, Sung-Soo; Lee, Jeong-Ho; Park, Su-Seong; Lee, Sang-Hyeok; Kim, Rae-Young
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Diseño de módulo de potencia conmutada de medio puente basado en MOSFETs de SiC conectados en paralelo para convertidor resonante LLC con estructura simétrica y baja inductancia parásita
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Los MOSFETs
Conversión de potencia
Conexión en paralelo
Desequilibrio de corriente
Velocidad de conmutación
Inductancia
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 38
Citaciones: Sin citaciones
Los MOSFET de SiC se utilizan en muchas aplicaciones de conversión de potencia debido a sus características superiores, como la velocidad de conmutación rápida, la baja resistencia en estado encendido y la alta temperatura de funcionamiento.
Descripción
Los MOSFET de SiC se utilizan en muchas aplicaciones de conversión de potencia debido a sus características superiores, como la velocidad de conmutación rápida, la baja resistencia en estado encendido y la alta temperatura de funcionamiento.