Este documento presenta un diseño de MT-SRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Estática) basado en CNFET (Transistor de Efecto de Campo de Nanotubos de Carbono) basado en el mecanismo de reducción de fugas. Se emplea una lógica de multi-umbral para reducir la corriente de fuga durante las operaciones de lectura/escritura. Aquí, la técnica de multi-umbral se utiliza para insertar el control de sueño de alto umbral en el circuito de bajo umbral. La inserción se realiza de manera serial. Los transistores de alto umbral son muy útiles para derivar la corriente de sub-umbral baja. Mientras tanto, los transistores de bajo umbral son prometedores para mejorar el rendimiento del circuito. Los pares de transistores de umbral alto-bajo se utilizan para cambiar la longitud del canal modificando el grosor del óxido de los transistores. La implementación general de las celdas de SRAM basadas en multi-umbral se realiza con la ayuda de CNFET para evitar el efecto de canal corto, la degradación de la movilidad que ocurre al considerar longitudes de canal inferiores a 32 nm en dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semiconductor Complementario). El documento representa claramente la mejora del rendimiento de las celdas de SRAM propuestas con las tecnologías mencionadas anteriormente.