Este documento presenta el diseño de microantenas en chip para aisladores galvánicos a escala de paquete basados en acoplamiento plano de RF. Se propone un procedimiento de diseño paso a paso, que tiene como objetivo la maximización del acoplamiento electromagnético débil entre las antenas RX y TX integradas en chips empaquetados uno al lado del otro para permitir tanto una alta clasificación de aislamiento como inmunidad transitoria de modo común gracias a la alta resistencia dieléctrica y a las bajas parásitas capacitivas de una barrera galvánica basada en compuesto de moldeo, respectivamente. Se establecen pautas de diseño de microantenas, destacando la relación principal entre el rendimiento de acoplamiento de bobinas y sus parámetros de diseño, que a menudo están en contraste con respecto a los inductores integrados tradicionales.