Un metodología de diseño para frentes de recepción de reuso de corriente de banda ancha dirigida a aplicaciones de baja potencia
Autores: Abbasi, Arash; Nabki, Frederic
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un metodología de diseño para frentes de recepción de reuso de corriente de banda ancha dirigida a aplicaciones de baja potencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Perspectiva de diseño
Baja potencia
Ancho de banda
RF a baseband
Receptores de reutilización de corriente
Arquitectura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 25
Citaciones: Sin citaciones
Este trabajo ofrece una perspectiva de diseño sobre receptores de corriente reutilizada de RF a banda base de bajo consumo y ancho de banda. El diseño de la arquitectura propuesta comparte una única fuente de alimentación y corriente de polarización entre los circuitos LNTA y de banda base para reducir el consumo de energía. El trabajo discute la selección de topología y un procedimiento de diseño adecuado del amplificador de transconductancia de bajo ruido (LNTA), el mezclador pasivo de conversión descendente, el circuito de inductor activo (AI) y TIA. También se discuten consideraciones de diseño. El receptor fue simulado en tecnología CMOS de 130 nm y ocupa un área activa de 0.025 . Logra una coincidencia de entrada de banda ancha de menos de desde hasta . Se simula una ganancia de conversión de , un IIP3 de y un NF de doble banda lateral (DSB) de a una frecuencia de oscilador local (LO) de y una frecuencia intermedia (IF) de 10 , consumiendo mA de una fuente de alimentación de .
Descripción
Este trabajo ofrece una perspectiva de diseño sobre receptores de corriente reutilizada de RF a banda base de bajo consumo y ancho de banda. El diseño de la arquitectura propuesta comparte una única fuente de alimentación y corriente de polarización entre los circuitos LNTA y de banda base para reducir el consumo de energía. El trabajo discute la selección de topología y un procedimiento de diseño adecuado del amplificador de transconductancia de bajo ruido (LNTA), el mezclador pasivo de conversión descendente, el circuito de inductor activo (AI) y TIA. También se discuten consideraciones de diseño. El receptor fue simulado en tecnología CMOS de 130 nm y ocupa un área activa de 0.025 . Logra una coincidencia de entrada de banda ancha de menos de desde hasta . Se simula una ganancia de conversión de , un IIP3 de y un NF de doble banda lateral (DSB) de a una frecuencia de oscilador local (LO) de y una frecuencia intermedia (IF) de 10 , consumiendo mA de una fuente de alimentación de .